1．最密堆积晶体的配位数均为12。

如金属晶体中的两种最密堆积：面心立方最密堆积A₁、六方最密堆积A₃。

面心立方最密堆积A₁(如图所示)，

典型代表Cu、Ag、Au，因周围的原子都与该原子形成金属键，以立方体的面心原子分析，上、中、下层各有4个配位原子，故配位数为12。

六方最密堆积A₃(如图所示)，

典型代表Mg、Zn、Ti，因周围的原子都与该原子形成金属键，以六方晶胞的面心原子分析，上、中、下层分别有3、6、3个配位原子，故配位数为12。

又如分子晶体中的干冰(如下图所示)，

以立方体的面心CO₂分子分析，上、中、下层各有4个CO₂分子，故配位数为12。

2．体心立方堆积晶体的配位数为8。

如金属晶体中的体心立方堆积A₂(如图所示)，

典型代表Na、K、Fe，因立方体8个顶点的原子都与体心原子形成金属键，故配位数为8。

又如CsCl型离子晶体(如下所示)，

CsCl晶体中，每个离子被处在立方体8个顶点带相反电荷的离子包围，Cl^－离子和Cs^＋离子的配位数都为8。或以大立方体的面心Cs^＋离子分析，上、下层各有4个Cl^－离子，配位数为8。

注意：每个Cl^－(Cs^＋)离子周围等距且紧邻的Cl^－(Cs^＋)在上下、左右、前后各2个，共6个，这不是真正的配位数。因为是同电性离子。

3．面心立方堆积晶体的配位数为6。

如NaCl型离子晶体(如下所示)，

NaCl晶体中，每个离子被处在正八面体6个顶点带相反电荷的离子包围，Cl^－离子和Na^＋离子的配位数都为6。

注意：每个Cl^－(Na^＋)离子周围等距且紧邻的Cl^－(Na^＋)在上、中、下层4个，共12个，这不是真正的配位数。因为是同电性离子。

又如金属晶体中的简单立方堆积(如图所示)，

PO晶体中，立方体位于1个顶点原子的上下、前后、左右各有2个原子与其形成金属键，配位数为6。

4．配位数为4的几种晶体。

如ZnS型离子晶体(如下图所示)，

ZnS晶体中的S^2－离子和Zn^2＋离子排列类似NaCl型，但相互穿插的位置不同，使S^2－、Zn^2＋离子的配位数不是6，而是4。具体可将图示中分为8个小立方体，其中体心有4个S^2－离子，每个S^2－离子处于Zn^2＋离子围成的正四面体中心，故S^2－离子的配位数是4。以大立方体的面心Zn^2＋离子分析，上、下层各有2个S^2－离子，故Zn^2＋离子的配位数为4。Zn^2＋离子的配位数不易观察，亦可利用ZnS的化学式中的离子比为1∶1，推知Zn^2＋离子的配位数为4。

又如金刚石、碳化硅等原子晶体(如图所示)，

与ZnS型离子晶体类似情况，配位数均为4。二氧化硅原子晶体中，Si与O原子形成的是硅氧四面体(图示略)，Si的配位数为4，而SiO₂的原子比为1∶2，故O的配位数是2。

再如CaF₂型离子晶体(如下图所示)，

F^－和Ca^2＋离子的配位数分别4和8。具体分析：每个F^－离子处于Ca^2＋离子围成的正四面体中心，故F^－离子的配位数是4。以大立方体的面心Ca^2＋离子分析，上、下层各有4个F^－离子，故Ca^2＋离子的配位数为8。亦可利用CaF₂的化学式中的离子比为1∶2，推知Ca^2＋离子的配位数是8。

还如在砷化镓晶胞结构(如图所示)，

小黑点为镓原子，其配位数为4，砷化镓原子比为1∶1，故As原子的配位数也是4。

5．配位数为3的层状晶体。

如石墨或六方氮化硼等(图示略)。

6．链状结构的配位数为2。

如硫酸氧钛晶体中阳离子为链状聚合形式的离子，结构如图所示。Ti、O原子的配位数均为2。

注意：由于晶体结构对称性关系，晶体中不可能有11、10、9、7、5的配位数。晶体中最高配位数为12。