晶体的形状是一定的，晶体颗粒的大小与结晶条件有关，溶质的溶解度越小、溶液的浓度越高、溶剂的蒸发速度越快、溶液冷却得越快，析出的晶粒就越小；

反之，溶质的溶解度越大、溶液的浓度越低、溶剂的蒸发速度越慢、溶液冷却得越慢，析出的晶粒就越大，可得到较大的晶体颗粒。

但是在实际培养过程中，由于实验设备性能有限和各种外界因素影响等，想要培养出规则的大晶体非常困难。

（1）晶体生长理论 

晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。

一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：

①介质达到过饱和、过冷却阶段。

这个阶段会出现瞬时的微细结晶粒子，当结晶粒子的大小达到临界值以上则进入成核阶段。

②成核阶段。

当体系内的质点同时进入不稳定状态形成新相，称为均匀成核作用，各处的成核几率相等，这需要克服相当大的表面能位垒，即需要相当大的过冷却度才能成核。当体系内的某些局部区域首先形成新相的核，称为不均匀成核作用。例如悬浮的杂质微粒，容器壁凹凸不平等，这些都能有效降低表面能成核时的位垒，优先在这些具有不均匀性的环境中形成晶核。

③生长阶段。

在单位时间内，单位体积中所形成的核的数目称成核速率。它取决于物质的过饱和度或过冷却度。过饱和度和过冷却度越高，成核速率越大。成核速率还与介质的黏度有关，黏度大会阻碍物质的扩散，降低成核速度。晶核形成后，将进一步成长。

（2）大晶体培养的相关因素 

结晶时，只有当溶液达到过饱和才能析出晶体。

达到过饱和的方式有：

①降低温度，如岩浆期结束后的热液越远离岩浆源，温度越低，各种矿物晶体陆续析出；

②水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发；

③通过化学反应，生成难溶物质。

影响晶体生长的主要外部因素有：涡流、温度、杂质、黏度、结晶速度等。

此外晶体析出的先后次序也影响晶体形态：先析出者有较多自由空间，晶形完整，成自形晶；较后生长的则形成半自形晶或他形晶。

同一种矿物的天然晶体在不同的地质条件下形成时，在形态、物理性质上也可能显示不同的特征，这些特征标志着晶体的生长环境，称为标型特征。

（3）大晶体培养的条件选择

①保证晶体沉淀在适当浓度的溶液中进行。这是因为在沉淀过程中，溶液的相对过饱和度不大，均相成核作用不显著，容易得到大颗粒的晶体沉淀。

②增大沉淀的溶解度，降低溶液的相对过饱和度，可获得大的晶粒。

③升高溶液的温度，可以增加构晶离子的扩散速度，从而加快晶体的成长，有利于获得大的晶粒。

④陈化。陈化就是沉淀完全后，让初生的沉淀与母液一起放置一段时间的过程。在陈化过程中，小晶粒逐渐溶解，大晶粒进一步长大。这是因为在同样条件下，小晶粒的溶解度比大晶粒的大。在同一溶液中，对大晶粒为饱和溶液时，对小晶粒则可能未达到饱和，因此小晶粒就要溶解。当溶解到一定程度后，溶液对小晶粒为饱和溶液时，对大晶粒则为过饱和，因此，溶液中的构晶离子就在大晶粒上沉积。沉积到一定程度后，溶液中对大晶粒为饱和溶液时，对小晶粒则为未饱和，又要溶解，如此反复进行，小晶粒逐渐消失，大晶粒不断长大。如硫酸钡沉淀经陈化后，晶粒变大，且结构更为完整。

(4)硫酸铜大晶体培养 

想要培养出形状相对规则的硫酸铜大晶体，在操作过程中需要注意以下几点：

①尽量挑选形状完整的小晶体作为晶种。

②使用头发捆绑晶种。

③等待热饱和溶液完全冷却并过滤后再把晶种放入。

⑤在溶液析晶的过程中要注意防震防尘。

⑥取出晶体后要及时清理晶体上的各种突起。